Click to expand full text
PPM6N20V5 P-Channel MOSFET
Description
The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.
VDS(V) -20
MOSFET Product Summary
RDS(on)(mΩ)
ID(A)
52 @ VGS=-4.5V
-5
（D） 1 （D） 2 （G） 3
6 （D） 5 （D） 4 （S）
Internal structure
（D） （D） （G）
12
3
DS
65 4 （D） （D） （S）
Absolute maximum rating@25℃
Rating
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
TA=25℃ TA=70℃
Drain Current Pulsed(Note1)
Maximum Power Dissipation
TA=25℃
Operating and Storage Junction Temperature Range
Symbol
VDS VGS
ID
IDM PD TJ,TSTG
Value
-20 ±12 -5 -3 -20
2.4
-55 to +150
Units
V V
A
A W ℃
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)
Symbol
RθJA
Max.
52
Units
℃/W
Rev.06.1
1 www.prisemi.
PPM6N20V5 Datasheet
