Datasheet Summary
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.4
9.0 8.2 7.8 7.5
ø5.1 ø4.8
5.9 5.5
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Sehr enger Abstrahlwinkel q GaAs-IR-LED, hergestellt im q q q q
Features q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q
Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484 liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 484
Anwendungen q IR-Fernsteuerun...