Description
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA
Features
- q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q
Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484
liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 484
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und.
LD274-3 Datasheet
