SVD1404T Overview
162A、40V N沟道增强型场效应管 描述 SVD1404T N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用士 兰微电子新的平面 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的 原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能 及很高的雪崩击穿耐量。在应用上,优化了器件的寄生参数,增 强了栅极抗干扰能力,易于并联使用。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 162A,40V,RDS(on)(典型值)=3.5mΩ@VGS=10V.