SVDP2353PL3A Description
L=1mH,IAS=-7.0A,VDD=-80V,VGS=-10V,开始温度 TJ=25C; 3. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%; 4. //.silan..cn 版本号:1.8 共8页 第2页 士兰微电子 典型特性曲线 图.
SVDP2353PL3A is -150V P-channel enhanced mode field-effect transistor manufactured by Silan Microelectronics.
| Part Number | Description |
|---|---|
| SVD1055SA | 55V N/P-CHANNEL MOSFET |
| SVD10N60F | 600V N-CHANNEL MOSFET |
| SVD10N60T | 600V N-CHANNEL MOSFET |
| SVD10N65F | 650V N-CHANNEL MOSFET |
| SVD10N65FG | 650V N-CHANNEL MOSFET |
L=1mH,IAS=-7.0A,VDD=-80V,VGS=-10V,开始温度 TJ=25C; 3. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%; 4. //.silan..cn 版本号:1.8 共8页 第2页 士兰微电子 典型特性曲线 图.