SVT034R6ND Overview
TO-252-2L(SVT034R6ND)热特性 参数 符号 测试条件 芯片对表面热阻，底部 芯片对环境的热阻 焊接温度（SMD） RθJC RθJA Tsold 表 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少：0.67W/C(TO-252-2L)； 0.91W/°C(TO-220-3L)； 3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；.
Datasheet Details
| Part number | SVT034R6ND |
|---|---|
| Datasheet | SVT034R6ND-SilanMicroelectronics.pdf |
| File Size | 426.18 KB |
| Manufacturer | Silan Microelectronics |
| Description | 30V N-channel enhancement-mode MOSFET |
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