SVT034R6NT Description
TO-252-2L(SVT034R6ND)热特性 参数 符号 测试条件 芯片对表面热阻,底部 芯片对环境的热阻 焊接温度(SMD) RθJC RθJA Tsold 表 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少:0.67W/C(TO-252-2L); 0.91W/°C(TO-220-3L); 3. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;.
SVT034R6NT is 30V N-channel enhancement-mode MOSFET manufactured by Silan Microelectronics.
| Part Number | Description |
|---|---|
| SVT034R6ND | 30V N-channel enhancement-mode MOSFET |
| SVT034R0NL5 | N-CHANNEL MOSFET |
| SVT03100ND | 30V N-CHANNEL MOSFET |
| SVT03100NL3 | N-CHANNEL MOSFET |
| SVT03110PL3 | P-CHANNEL MOSFET |
TO-252-2L(SVT034R6ND)热特性 参数 符号 测试条件 芯片对表面热阻,底部 芯片对环境的热阻 焊接温度(SMD) RθJC RθJA Tsold 表 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少:0.67W/C(TO-252-2L); 0.91W/°C(TO-220-3L); 3. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;.