Datasheet Summary
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
GMS2302AL
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N 沟道增强型 MOS 场效应管
- MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
Drain Current (continuous) 漏極電流-連續
Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲
Total Device Dissipation 總耗散功率
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Junction 結溫
BVDSS VGS ID IDM PD TJ
Storage Temperature 儲存溫度
Tstg
- DEVICE MARKING 打標 GMS2302AL=A2SHB
Max 最大值 20 +8 2.6 10 900 150
-55to+150
Unit 單位 V V A A mW ℃ ℃
GMS2302AL
- ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic 特性參數
Symbol Min 符號 最小值
Typ 典型值
Max 最大值
Drain-Source Breakdown Voltage...
