IPD Datasheet | Specifications & PDF Download

Featuring built-in frequency jitter necessary for EMI, while also conserving power during standby High-Performance IPD with Frequency Jitter for Sma

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Featuring built-in frequency jitter necessary for EMI, while also conserving power during standby High-Performance IPD with Frequency Jitter for Sma

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( DataSheet : www.DataSheet4U.com ) r Undement p lo e Dev Saves power during standby, enhances efficiency MIP2C2 High-Performance IPD for Battery C

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www.DataSheet.co.kr Realizing the simplification of power Supply and downsizing IPD for switching power supply （MIP531) „ Overview MIP531 supporting

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(IPD) MIP2E1DMC ( MOS I • • ) Unit : mm (1.4) 10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1 3.0±0.5 0 to 0.5 1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C VD VC

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インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2F50MS シリコン MOS  　  のを  のをに  になを の, にえ, (フ の ) とを  　  ( ほか )  ACアダプタ  Ta = 25°C±3°C ドレイン VD - 0.3 ∼ +700

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IPD65R1K5CE MOSFET 650V CoolMOSª CE Power Transistor CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the

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IPD70R1K4P7S MOSFET 700V CoolMOSª P7 Power Transistor CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to th

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IPD I IPD (MIP022X) IPD PWM 60 W IPD I G ( 12 V/3 A : 100 VAC : 100 VAC (MIP022X) : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 G 0.3 W IPD

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IPD70R600CE MOSFET 700V CoolMOSª CE Power Transistor CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the

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www.DataSheet4U.com (IPD) MIP2E4DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2

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のノイズとエネに IPDシリーズ（MIP41Xシリーズ） „ は、RCCのをしたスイッチング にされたIPD（Intelligent Power Device）です。 （～）において、つ、 ・ノイズをすることができます。 は、に、AV・OAのにしています。 „ • は、RCC（ボトムオン）に

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のノイズとエネに IPDシリーズ（MIP41Xシリーズ） „ は、RCCのをしたスイッチング にされたIPD（Intelligent Power Device）です。 （～）において、つ、 ・ノイズをすることができます。 は、に、AV・OAのにしています。 „ • は、RCC（ボトムオン）に

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インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP4140MS シリコン MOS  　  は , RCC ( ボトムオン) により, ・ ノイズをし , はドレインピークのに れるというにより , のをするとと もに, トランスをにできます。  の (VCC) から, IPD のをする こと

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のノイズとエネに IPDシリーズ（MIP41Xシリーズ） „ は、RCCのをしたスイッチング にされたIPD（Intelligent Power Device）です。 （～）において、つ、 ・ノイズをすることができます。 は、に、AV・OAのにしています。 „ • は、RCC（ボトムオン）に

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IPDH9N03LA G IPSH9N03LA G OptiMOS®2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for targe

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Featuring built-in frequency jitter necessary for EMI, while also conserving power during standby High-Performance IPD with Frequency Jitter for Sma

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Featuring built-in frequency jitter necessary for EMI, while also conserving power during standby High-Performance IPD with Frequency Jitter for Sma

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Featuring built-in protection circuits necessary for compact power source charger circuitry, while also conserving power during standby „ Overview H

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(IPD) MIP2E2DMU MOS ■ • • ■ • U-G2 • 1: Control 2: Source 3: Drain ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.585 0.82 0.1 150 −55 ∼

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