I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3.
Panasonic
MIP2E1DMC - IPD
(IPD) MIP2E1DMC ( MOS I • • ) Unit : mm (1.4) 10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1 3.0±0.5 0 to 0.5 1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C VD VC.
Matsushita
MIP2E1D - High-Performance IPD for Battery Chaegers
I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 26.
Panasonic
MIP2E1DMS - Silicon MOS-type integrated circuit
インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E1DMS シリコン MOS のをに によりリアルタイムのが スイッチング Ta = 25°C±3°C ドレイン コントロール ピーク コントロール チャネル VD VC ID IDP IC Tch.
Panasonic
MIP2E1DMU - Silicon MOS-type integrated circuit
MIP2E1DMU MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150 V V A A A °C °C ■ • U-G4 • 1: Contro.