TK19J55D Datasheet | Specifications & PDF Download

iscN-Channel MOSFET Transistor TK19J55D ·FEATURES ·Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.33Ω (MAX) ·Enhancement mode: Vth = 2 to 4V (VDS = 10

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TK19J55D MOSFET シリコンNチャネルMOS (π-MOS) TK19J55D 1. • スイッチングレギュレータ 2. (1) (2) (3) (4) オンがい。: RDS(ON) = 0.28 Ω () アドミタンスがい。: |Yfs| = 8.5 S () れがい。: I

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