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Huajing Microelectronics

3DD13003D Datasheet Preview

3DD13003D Datasheet

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

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华润华晶分立器件
NPN 低频放大双极型晶体管
R
3DD13003D
1 产品概述:
3DD13003D 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高 VCEO
了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
产品封装形式:TO-126F ,符合 RoHS 指令要求。
IC
Ptot TC=25℃)
400
2.5
50
V
A
W
2 产品特点:
TO-126F
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
1
2
3
1. B
2. C
3. E
3 主要用途:
主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路,
是该类电子产品的核心部件。
内部等效原理图
C
B
VD
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
部件名称
(含量要求)
Pb
0.1%
有害物质或元素
汞 镉 六 价 铬 多 溴 联 苯 多溴二苯醚
Hg) (Cd) (Cr(VI)(PBB) PBDE
0.1% 0.01% 0.1%
0.1%
0.1%
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
○ ○○○
× ○○○
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
1 页 共 5 2008




Huajing Microelectronics

3DD13003D Datasheet Preview

3DD13003D Datasheet

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

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华润华晶分立器件
4 电特性
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
R 3DD13003D
额定值
700
400
9
2.5
1.25
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
W
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比
的静态值
小电流下 hFE1 与大电流下
hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
ICBO
ICEO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a
sat
VBE
a
sat
ts
tr
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
VCB=700V, IE=0
VCE=400V, IB=0
VEB=9V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=0. 5A
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0. 5A
IC=2A, IB=0. 5A
IC=2A, IB=0. 5A
UI9600IC=0.25A
VCE=10V, IC=0.2A
f=1MHz
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
15 30
0.75 0.9
0.5
1.2
3
5
1
1.5
5
1
0.8
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
μs
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
2页 共5
2008


Part Number 3DD13003D
Description Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
Maker Huajing Microelectronics
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8 3DD13003B NPN Plastic-Encapsulated Transistor
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9 3DD13003B NPN Transistor
JIANGSU CHANGJIANG





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