mosfet.
*N-channel,normallevel
*FastDiode(FD)withreducedQrr
*Optimizedforhardcommutationruggedness
*Verylowon-resistanceRDS(on)
*175°Cope.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . ..
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