2N6058 Datasheet | onsemi

.. ON Semiconductort PNP Darlington plementary Silicon Power Transistors . . . designed for general- purpose amplifier and low frequency switching applications. 2N6052- - High DC Current Gain - - - w h FE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc Collector- Emitter Sustaining Voltage - @ 100 m A VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6058 100 Vdc (Min) - 2N6052, 2N6059 Monolithic Construction with Built- In Base- Emitter Shunt Resistors 2N6058 2N6059- - ON Semiconductor Preferred Device ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS (1) Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB 2N6058 80 80 2N6052 2N6059 100 100 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector- Emitter Voltage Collector- Base Voltage Emitter- Base voltage 5.0 12 20 Collector Current - Continuous Peak Base Current Total Device Dissipation @TC = 25_C Derate above 25_C 0.2 PD 150 Watts W/_C _C 0.857 Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg - 65 to + 200_C These devices are available in Pb- free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb- free devices. Please see our website at .onsemi. for specific Pb- free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative. DARLINGTON 12 AMPERE PLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80 - 100 VOLTS 150 WATTS CASE 1- 07 TO- 204AA (TO- 3) THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol RθJC Rating 1.17 Unit Thermal Resistance, Junction to Case _C/W (1) Indicates JEDEC Registered Data. 160 PD, POWER DISSIPATION...