2N6059 Datasheet Text
..
ON Semiconductort PNP
Darlington plementary Silicon Power Transistors
. . . designed for general- purpose amplifier and low frequency switching applications.
2N6052-
NPN
- High DC Current Gain
- -
- w hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc Collector- Emitter Sustaining Voltage
- @ 100 mA VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)
- 2N6058 100 Vdc (Min)
- 2N6052, 2N6059 Monolithic Construction with Built- In Base- Emitter Shunt Resistors
2N6058 2N6059-
- ON Semiconductor Preferred Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB 2N6058 80 80 2N6052 2N6059 100 100 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector- Emitter Voltage Collector- Base Voltage Emitter- Base voltage 5.0 12 20 Collector Current
- Continuous Peak Base Current Total Device Dissipation @TC = 25_C Derate above 25_C 0.2 PD 150 Watts W/_C _C 0.857 Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg
- 65 to + 200_C
These devices are available in Pb- free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb- free devices. Please see our website at .onsemi. for specific Pb- free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
DARLINGTON 12 AMPERE PLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80
-...
