Q60215-Y1111 phototransistor equivalent, npn-silizium-fototransistor silicon npn phototransistor.
q Especially suitable for applications from
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
420 nm to 1130 nm
q High linearit.
from
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
420 nm to 1130 nm
q Hi.
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kol.
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