KT827B
ETC
232.66kb
Npn transistor.
TAGS
📁 Related Datasheet
KT827 - NPN Transistor
(ETC)
Технические параметры транзистора КТ827
Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр техничес.
KT827A - NPN Transistor
(ETC)
Технические параметры транзистора КТ827
Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр техничес.
KT8225A - NPN Transistor
(Integral)
КТ8225А
n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы .
KT8232 - HIGH POWER compound NPN transistor
(ETC)
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально подходит.
KT8232A - HIGH POWER compound NPN transistor
(ETC)
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально подходит.
KT8232A1 - NPN Transistor
(INCHANGE)
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
KT8232A1
DESCRIPTION ·Built In Clamping Zener ·High Operating Junction Temperatur.
KT8232B - HIGH POWER compound NPN transistor
(ETC)
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально подходит.
KT8248A - NPN Transistor
(Integral)
КТ8248А, А1
n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (.
KT8248A1 - NPN Transistor
(Integral)
КТ8248А, А1
n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (.
KT825 - PNP Transistor
(ETC)
.
