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DDB6U75N16W1R Datasheet - Infineon

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Datasheet Details

Part number:

DDB6U75N16W1R

Manufacturer:

Infineon ↗

File Size:

383.21 KB

Description:

Igbt.

DDB6U75N16W1R, IGBT

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-modules DDB6U75N16W1R Diode, Gleichrichter / Diode, Rectifier Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Periodische Spitzensperrspannung Repetitive peak reverse voltage Tvj = 25°C Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Chip Maximum RMS forward current per chip TC = 100°C Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom Maximum RMS current at rectifier output TC = 100°C Stoßstrom Grenzwert Surge forward current tp = 10 ms, Tvj =

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