DDB6U75N16W1R Datasheet - Infineon

DDB6U75N16W1R IGBT

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-modules DDB6U75N16W1R Diode, Gleichrichter / Diode, Rectifier Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Periodische Spitzensperrspannung Repetitive peak reverse voltage Tvj = 25°C Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Chip Maximum RMS forward current per chip TC = 100°C Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom Maximum RMS current at rectifier output TC = 100°C Stoßstrom Grenzwert Surge forward current tp = 10 ms, Tvj = .

DDB6U75N16W1R Datasheet (383.21 KB)