DF200R12KE3 Datasheet (eupec)

DF200R12KE3, IGBT

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules DF200R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C; Transistor Gate Emitter Spitzen