EMBE0N10Q Datasheet | Excelliance MOS

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  RDSON (MAX.)  500mΩ  ID  2.1A  G   UIS 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  VGS  ID  IDM  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  LIMITS  ±20  2.1  1.4  8.4  6.25  2.5  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  3150°C / W when mounted on a 1 in2 pad of...