Datasheet Summary
2A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
工业型号
公司型号
通俗命名
FQU2N60C FQD2N60C
H2N60U H2N60D
HAOHAI
封装标识
U: TO-251 D: TO-252
包装方式
条管装 卷盘装
每管数量
80只/管 2.5K/卷
2N60 Series
N-Channel MOSFET
每盒数量
4Kpcs/盒 5Kpcs/盒
每箱数量
24Kpcs 25Kpcs
- Features
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge: 5.5nC(Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON): 4.0Ω(Typ.) @ VGS=10V 100% Avalanche Tested Package: TO-251 & TO-252（IPAK & DPAK）
ID=1.8A BVDSS=600V RDS(on)=4.0Ω
- 特点 导通电阻低,开关速度快,驱动简单,可并联使用,输入阻抗高,符合RoHS规范
- 应用范围 开关电源、LCD电源、LED驱动电源、机箱电源、UPS电源、...
