• Part: DF200R12W1H3_B27
  • Manufacturer: Infineon
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DF200R12W1H3_B27 Description

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 VorläufigeDaten/PreliminaryData TypischeAnwendungen SolarAnwendungen ElektrischeEigenschaften NiedrigeSchaltverluste MechanischeEigenschaften Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand IntegrierterNTCTemperaturSensor KompaktesDesign PressFITVerbindungstechnik J VCES = 1200V IC nom = 30A / ICRM = 60A...

DF200R12W1H3_B27 Key Features

  • LowSwitchingLosses
  • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
  • IntegratedNTCtemperaturesensor
  • pactdesign
  • PressFITContactTechnology