BUV60
BUV60 is SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor manufactured by onsemi.
ON Semiconductort
SWITCHMODEt Series NPN Silicon Power Transistor
. . . designed for high speed, high current, high power applications.
BUV20 BUV60
50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS
- High DC current gain:
- - h FE min = 20 at IC = 25 A = 10 at IC = 50 A Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 25 A = 0.9 V at IC = 50 A Very fast switching times: TF = 0.25 µs at IC = 50 A
Rating Symbol VCBO VEBO VCEX
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
BUV20 160 160 150 BUV60 260 260 260 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Apk Adc Collector- Emititer Voltage Collector- Base Voltage Emitter- Base Voltage VCEO(sus) 125 7 Collector- Emitter Voltage (VBE =
- 1.5 V) Collector- Emitter voltage (RBE = 100 Ω) VCER IC ICM IB Collector- Current
- Continuous
- Peak (PW v 10 ms) Base- Current continuous 50 60 10 Total Power Dissipation @ TC = 25_C PD 250 Watts _C Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg
- 65 to 200
CASE 197A- 05 TO- 204AE (TO- 3)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol θJC
BUV20
Unit
_C/W
0.8 DERATING FACTOR 0.6 0.4 0.2
80 120 TC, TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
© Semiconductor ponents Industries, LLC, 2001
May, 2001
- Rev. 10
Publication Order Number: BUV20/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ...
