• Part: BP104S
  • Description: Silicon Phototransistor
  • Category: Transistor
  • Manufacturer: Siemens Semiconductor Group
  • Size: 47.44 KB
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Siemens Semiconductor Group
BP104S

Overview

  • 0 3.7
  • 7 1.5
  • ..5 ˚ BP 104 S Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 85 20 150 Einheit Unit °C V mW Top; Tstg VR Ptot Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V