Datasheet Summary
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode
BP 104 S
Chip position
0...0.1 1.2 1.1 0.3
1.1 0.9
0.2 0.1
6.7 6.2 4.5 4.3 1.6 ±0.2
0.9 0.7
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q geeignet für Vapor-Phase Löten und IRReflow-Löten q SMT-fähig Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”
Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q Suitable for...
