SVD4N65M Description
L=10mH，IAS=4.13A，VDD=50V，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. mm 版本号：1.0 2009.12.16 共7页 第6页 Free Datasheet http://..net/ SVD4N65T/F/M 封装外形图 （续） TO-220-3L 单位:.
SVD4N65M Datasheet
| Part number | SVD4N65M |
|---|---|
| Download | SVD4N65M Datasheet (PDF) |
| File Size | 295.39 KB |
| Manufacturer | Silan |
| Description | (SVD4N65T/F/M) 650V N-CHANNEL MOSFET |
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