Datasheet Summary
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (超高速U-MOSⅢ)
スイッチングレギュレーター用
単位: mm z ゲート入力電荷量が小さい。 : Qg=110nC (標準) z オン抵抗が低い。
:RDS (ON) = 8.4 mΩ (標準) z 順方向伝達アドミタンスが高い。 : |Yfs| = 110 S (標準) z 漏れ電流が低い。
: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 100 V) z 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
: Vth = 1.1～2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
/パッケージ
項目
記号
定格
単位
ドレイン- ソース間電圧 ドレイン- ゲート間電圧 (RGS=20kΩ) ゲート- ソース間電圧
DC (注 1) ドレイン電流
パルス (注 1) 許 容 損 失 (Tc=25℃) アバランシェエネルギー(単発) (注 2) アバランシェ電流 アバランシェエネルギー(連続) (注 3) チャネル温度 保存温度
VDSS VDGR VGSS
ID IDP PD EAS IAR EAR Tch Tstg
100 100 ±20 55 210 45 382 55 3.0 150
- 55～150
V V V A A W mJ A mJ ℃ ℃
1. ゲート 2. ドレイン (放熱板) 3. ソース
JEDEC
―
JEITA
SC-67
東芝
2-10U1B
質量:...