• Part: TPD1042F
  • Description: Silicon Monolithic Power MOS
  • Manufacturer: Toshiba
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Datasheet Summary

東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路 モータ、ソレノイド、ランプドライブ用 ハイサイドパワースイッチ TPD1042F は縦型パワーMOS FET 出力のハイサイドスイッチで、 CMOS、TTL ロジック回路(MPU など)から直接ドライブができ、 保護、診断のインテリジェント機能を備えたモノリシックパワーIC です。 特長 - 制御部(Bi-CMOS)と縦型パワーMOS FET を 1 チップ上に組み 込んだモノリシックパワーIC です。 SOP8-P-1.27A - 負荷端を接地できるハイサイドスイッチです。 - マイクロプロセッサ、CMOS ロジック IC 等から直接制御可能で 質量: 0.08 g (標準) す。 - 過熱、負荷ショートに対する保護機能を内蔵しています。 - 負荷ショート、オープン、過熱検出時に診断出力を外部に取り出せる診断機能を内蔵しています。 - インダクタンス負荷による逆起電圧を出力端子に-(60V-VDD)まで印加できます。 - オン抵抗が小さい。RDS(ON)=180mΩ(最大) ( @ VDD = 12 V、Ta = -40~115℃、Io = 2 A) - 表面実装の SOP-8 パッケージで梱包形態はエンボステーピングです。 ピン接続 OUT 1 GND 2 DIAG 3 IN 4 現品表示 (TOP VIEW) 8 VDD 7 VDD 6 VDD 5 VDD TPD1042 F 製品名 (または略号) ロット...