Datasheet Summary
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (π- MOSVI)
○ スイッチングレギュレータ用 z オン抵抗が低い。 z 漏れ電流が低い。 : RDS (ON) = 0.9Ω (標準) : IDSS = 100μA (最大) (VDS = 600V) 単位: mm z 順方向伝達アドミタンスが高い。 : |Yfs| = 5.0S (標準) z 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。 : Vth = 2.0～4.0V (VDS = 10V、ID = 1mA)
絶対最大定格 (Ta = 25℃)
項目 ド レ イ ン
- ソ ー ス 間 電 圧 ドレイン- ゲート間電圧 (RGS=20kΩ) ゲ ー ト
- ソ ー ス 間 電 圧 ド レ イ ン 電 流 許 容 損 DC (注 1) 記号 VDSS VDGR VGSS ID IDP PD EAS IAR EAR Tch Tstg 定格 600 600 ±30 6 24 40 345 6 4 150
- 55～150 単位 V V V A A W mJ A mJ ℃ ℃
パルス (注 1) 失 (Tc=25 ℃ )
JEDEC JEITA 東 芝
― SC-67 2-10R1B
アバランシェエネルギー(単発) (注 2) ア バ ラ ン シ ェ 電 流
質量: 1.9 g (標準)
アバランシェエネルギー(連続) (注 3) チ 保 ャ 存 ネ ル 温 温 度 度
注:
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷...