DD301 Datasheet | Specifications & PDF Download

isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(

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isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE

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AnaSem Analog Semiconductor IC VDD Series Low voltage, Low power, ±1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit (IMPORTANT: Ple

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NPN ○R 3DD3010A1 1 ： 3DD3010A1 NPN ，， ，、 。 ：TO-92 ， RoHS 。 VCEO IC Ptot （Ta=25℃） 2 ： TO-92 480 0.5 0.8 V A W ● ● ● ● ● 1 2 3 1. B

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NPN 3DD3015 A3 ○R 3DD3015 A3 NPN ， ， ， 、 。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot （Tc=25℃） 450 1.2 25 V A W TO-251 -10℃～40

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NPN ○R 3DD3015A1 1 ： 3DD3015A1 NPN ，， ，、 BVCEO 。 ：TO-92， RoHS 。 IC Ptot （Ta=25℃） 2 ： TO-92 450 1 0.8 V A W ● ● ● ● ● 3 ： 、， 。 1 2

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NPN 3DD3015 A1-H ○R 3DD3015 A1-H NPN ， ， ， 、 。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot （Ta=25℃） 450 1 0.8 V A W TO-92 -10

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WTE POWER SEMICONDUCTORS DD300/S – DD306/S 30A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE Features Glass Passivated Die Construction Low Leakage Low Cost High S

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isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE

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WTE POWER SEMICONDUCTORS DD300/S – DD306/S 30A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE Features Glass Passivated Die Construction Low Leakage Low Cost High S

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