G50T60 Datasheet | Specifications & PDF Download

IGW50N60T TRENCHSTOP™ Series Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology Features:  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junctio

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Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3SD General Description： Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) technology, offering

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Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3HD General Description： Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) technology, offering

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CRG50T60AN3HD, CRG50T60AK3HD CRG50T60AN3HD CRG50T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V ，，。 IC 50 A RoHS 。 Ptot （TC=25℃） 416 W VCE(sat) 1.8 V

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Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AH3HD General Description： Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) technology, offering

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CRG50T60AN3HD, CRG50T60AK3HD CRG50T60AN3HD CRG50T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V ，，。 IC 50 A RoHS 。 Ptot （TC=25℃） 416 W VCE(sat) 1.8 V

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CRG50T60AK3H CRG50T60AK3H FS IGBT ， VCES 600 V ，。 IC 50 A RoHS 。 Ptot （TC=25℃） 416 W VCE(sat) 1.8 V ：TO-247 ● FS ，； ● ：VCE(sat

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CRG50T60AN3H CRG50T60AN3H FS IGBT ， VCES 600 V ，。 IC 50 A RoHS 。 Ptot （TC=25℃） 416 W VCE(sat) 1.8 V ：TO-3P（N） ● FS ，； ● ：VCE(s

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