.
3DD13012AN - Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor
3DD13012 AN NPN , , , , 、 。 NPN 3DD13012 AN ○R ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 15 120 V A W TO-3P(N) -.C5406A - Silicon NPN triple diffusion mesa type Power Transistors
Power Transistors 2SC5406, 2SC5406A Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit: mm s Features q High breakdown vo.GL3PR8 - 3mmT-1/ Cylinder Type/ Colored Diffusion LED Lamps for Indicator
LED Lamp GL3tt8 series GL3tt8 series s Outline Dimensions Colored diffusion Protruded resin 0.8MAX ø3mm(T-1), Cylinder Type, Colored Diffusion LED .2SD1251 - Silicon NPN triple diffusion Transistor
Power Transistors 2SD1251, 2SD1251A Silicon NPN triple diffusion junction type For power amplification 1.5±0.1 8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3 Unit: mm 1.0±.2SD1719 - Silicon NPN triple diffusion planar type Transistor
Power Transistors 2SD1719 Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification with high forward current transfer ratio ■ Features • High.C3853 - Silicon NPN triple diffusion planar type Transistor
www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com .2SB1011 - Silicon PNP triple diffusion planar type Transistor
Power Transistors 2SB1011 Silicon PNP triple diffusion planar type For low-frequency output amplification 8.0+0.5 –0.1 Unit: mm 3.2±0.2 ■ Features .2SD1742 - Silicon NPN triple diffusion planar type Transistor
Power Transistors 2SD1742, 2SD1742A Silicon NPN triple diffusion planar type For low-freauency power amplification Complementary to 2SB1172 and 2SB11.D2606 - Silicon NPN diffusion planar type Darlington
Power Transistors 2SD2606 Silicon NPN diffusion planar type Darlington For power amplification Unit: mm s Features q Extremely satisfactory linear.2SC5294 - Silicon NPN triple diffusion mesa type Power Transistor
Power Transistors 2SC5294, 2SC5294A Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output 15.5±0.5 4.5 Unit: mm q q q High brea.TT2076 - NPN triple diffusion planar silicon transistor
TT2076 TT2076 No. µ 3.4 16.0 5.6 3.1 22.0 8.0 0.8 2.8 2.0 0.7 123 5.45 5.45 3.5 20.4 2.1 0.9 21.0 5.0 4.0 TT2076 PW=20µs D.C. 1% INPUT V.KSF30A20E - Diffusion-type Silicon Diode
FRD Type KSF30A20E AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W) INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A) 200 100 50 20 10 5 2 0 0° 180° θ CONDUCTION ANGLE 40 30 .3DD13005G8D - Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor
NPN 3DD13005G8D ○R 3DD13005G8D NPN , , , , 、。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 4 75 V A W TO-220AB -1.3DD13005C9D - Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor
NPN 3DD13005 C9D ○R 3DD13005 C9D NPN , , , , 、。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 4 75 V A W TO-220F -1.KD279A - Silicon diffusion avalanche diode
КД279А, КД279Б, КД279В, КД279Г Кремниевые диффузионные лавинные диоды предназначены для выпрямления переменного тока и ограничения напряжения в аппара.KD279B - Silicon diffusion avalanche diode
КД279А, КД279Б, КД279В, КД279Г Кремниевые диффузионные лавинные диоды предназначены для выпрямления переменного тока и ограничения напряжения в аппара.KD279V - Silicon diffusion avalanche diode
КД279А, КД279Б, КД279В, КД279Г Кремниевые диффузионные лавинные диоды предназначены для выпрямления переменного тока и ограничения напряжения в аппара.KD279G - Silicon diffusion avalanche diode
КД279А, КД279Б, КД279В, КД279Г Кремниевые диффузионные лавинные диоды предназначены для выпрямления переменного тока и ограничения напряжения в аппара.LT9525D - 20mm/ Dome Type/ Colored Diffusion/ Large LED Lamps for Indoor Use
LED Large Lamp LT9525t series LT9525t series s Outline Dimensions 13.5±0.5 3.5±0.5 1 2 1110 9 8 7 R1.0 15.24 0.25 5.0 ø20mm, Dome Type, Colored Dif.LT1ET53A - 3.3X2.9mm/ 1.1mm Thickness/ Milky Diffusion/ Dichromatic Chip LED Devices
Dichromatic Chip LED Device LT1tt53A series LT1tt53A series s Outline Dimensions Milky diffusion 3.3!2.9mm, 1.1mm Thickness, Milky Diffusion, Dichr.