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FUMAN ELECTRONICS

TC2309 Datasheet Preview

TC2309 Datasheet

30V high-density P-channel MOS transistor

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D
深圳市富满电子有限公司
SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.
TC2309(文件编号:S&CIC1053)
30V 高密度 P 沟道 MOS
一、 特点
30V 高密度设计的 P 沟道 MOS
超低导通电阻
RDS(ON)<53mΩ@VGS= -10V
RDS(OFF)<65mΩ@VGS= -4.5V
S1
S2
S3
G4
8D
7D
6D
5D
二、 产品应用
笔记C本电脑的电源管理、便携式设备和电池供电系统
SOP-8
三、 电特性
极限参数(TA=25℃,除其它特殊说明)
符号
参数
VDSS
VGSS
ID
IDM
IS
TJ
TSTG
漏源极电压
栅源极电压
连续漏电流
脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
贮存温度
静态B电特性(TA=25℃,除其它特殊说明)
符号
参数
测试条件
BVDSS
漏源极击穿电压
VGS=0V, IDS=250uA
IDSS
VGS(th)
IGSS
零栅极电压漏电流
门阈值电压
栅极漏电流
VDS=-24V, VGS=0V
TA=25
VDS=VGS, IDS=250uA
VGS=±12V, VDS=0V
RDS(ON)
漏源极导通电阻
VGS=-10V, IDS=-0.5A
VGS=-4.5V, IDS=-0.5A
VGS=-2.5V, IDS=-0.5A
VSD 二极管正向电压 ISD=-1A, VGS=0V
额定值
-30
±12
-4
-15
-1
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
最小值
-30
-0.6
典型值
-30
-0.8
43
50
60
-0.7
最大值
-1
30
-1.1
±100
53
65
100
-1.3
单位
V
uA
uA
V
nA
mΩ
mΩ
mΩ
V
A
1页共1


Part Number TC2309
Description 30V high-density P-channel MOS transistor
Maker FUMAN ELECTRONICS
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TC2309 Datasheet PDF






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