FP50R07N2E4_B11 Datasheet - Infineon

FP50R07N2E4_B11 IGBT

FP50R07N2E4_B11 EconoPIM™2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EconoPIM™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A Typische Anwendungen Motorantriebe Elektrische Eigenschaften Erhöhte Sperrspannungsfestigkeit auf 650V Hohe Kurzschlussrobustheit Tvj op = 150°C Trench IGBT 4 VCEsat mit positivem Temperaturko.

FP50R07N2E4_B11 Features

* Increased blocking voltage capability up to 650V

* High short-circuit capability

* Tvj op = 150°C

* Trench IGBT 4

* VCEsat with positive temperature coefficient Mechanical Features

* Integrated NTC temperature sensor

* Isolated base plate

FP50R07N2E4_B11-Infineon.pdf