MIP2E5DMY Datasheet, Circuit, Panasonic

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MIP2E5DMY

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Panasonic

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Silicon mos type integrated circuit.

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MIP2E5DMY

Panasonic

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MIP2E5D - High-Performance IPD for Battery Chaegers (Matsushita)
I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 26.

MIP2E1D - High-Performance IPD for Battery Chaegers (Matsushita)
I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 26.

MIP2E1DMC - IPD (Panasonic)
(IPD) MIP2E1DMC ( MOS I • • ) Unit : mm (1.4) 10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1 3.0±0.5 0 to 0.5 1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C VD VC.

MIP2E1DMS - Silicon MOS-type integrated circuit (Panasonic)
インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E1DMS シリコン MOS  　  のをに  によりリアルタイムのが  　  スイッチング  Ta = 25°C±3°C ドレイン コントロール ピーク コントロール チャネル VD VC ID IDP IC Tch.

MIP2E1DMTSCF - Silicon MOSFET (Panasonic)
.

MIP2E1DMU - Silicon MOS-type integrated circuit (Panasonic)
MIP2E1DMU MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150 V V A A A °C °C ■ • U-G4 • 1: Contro.

MIP2E2D - High-Performance IPD for Battery Chaegers (Matsushita)
I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 26.

MIP2E2DMU - IPD (Panasonic)
(IPD) MIP2E2DMU MOS ■ • • ■ • U-G2 • 1: Control 2: Source 3: Drain ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.585 0.82 0.1 150 −55 ∼.

MIP2E2DMY - Silicon MOSFET (Panasonic)
MIP2E2DMY MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 V VC 10 V ID 0.585 A IDP 0.82 A IC 0.1 A Tch 150 °C Tstg −55 ∼ +150 °C ■ • TO-220-A.

MIP2E3D - High-Performance IPD for Battery Chaegers (Matsushita)
I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 26.