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2SB1710 - PNP Middle Power Transistor

Datasheet Summary

Features

  • 1)A collector current is large. 2)Collector saturation voltage is low. 　 VCE(sat)≦-350mV 　 at IC=-500mA /IB= -25mA lOutline TSMT3 　 　 SOT-346T SC-96 　 　 　 　　　　　　　　 lInner circuit Datasheet 　 　 l.

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Datasheet Details

Part number 2SB1710
Manufacturer ROHM
File Size 1.48 MB
Description PNP Middle Power Transistor
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2SB1710 General purpose amplification (-30V, -1A) Parameter VCEO IC Value -30V -1A lFeatures 1)A collector current is large. 2)Collector saturation voltage is low. 　 VCE(sat)≦-350mV 　 at IC=-500mA /IB= -25mA lOutline TSMT3 　 　 SOT-346T SC-96 　 　 　 　　　　　　　　 lInner circuit Datasheet 　 　 lApplication LOW FREQUENCY AMPLIFIER lPackaging specifications 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Part No. Package Package size Taping code Reel size Tape width (mm) (mm) Basic ordering unit.(pcs) Marking 2SB1710 TSMT3 2928 TL 180 8 3000 EW 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 20150730 - Rev.
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