LS846 Datasheet | Micross

Features   LOW LEAKAGE  IG = 15p A TYP.  LOW NOISE  en = 3n V/√Hz TYP.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐65°C to +150°C  Operating Junction Temperature  +135°C  Maximum Voltage and Current-  Note 1  ‐VGSS  Gate Voltage to Drain or Source  60V  ‐VGDS  Gate Voltage to Drain or Source  60V  ‐VDSO  Drain to Source Voltage  60V  ‐IG(f)  Gate Forward Current  50m A  Maximum Power Dissipation  Device Dissipation @ Free Air -  Total                 350m W @ +125°C                MAX.  ‐‐    ‐‐  ‐‐    15    3.5  3.5    50  50  30  100    20  2    0.5  7    8  3  UNITS  V    µmho  µmho    m A    V  V    p A  n A  p A  p A    µmho  µmho    d B  n V/√Hz      p F    .. LS846 Applications: - - - - Wideband Differential Amps High-Speed,Temp-pensated Single Ended Input Amps High-Speed parators Impedance Converters and vibrations detectors. ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTICS  MIN.  TYP.  BVGSS  Breakdown Voltage  60  ‐‐  TRANSCONDUCTANCE        Yf SS  Full Conduction  1500  ‐‐  Yf S  Typical Operation  1000  1500    DRAIN CURRENT      IDSS  Full Conduction  1.5  5  GATE VOLTAGE        VGS(off) or Vp  Pinchoff voltage  1  ‐‐  VGS(on)  Operating Range  0.5  ‐‐    GATE CURRENT      ‐IGmax.  Operating  ‐‐  15  ‐IGmax.  High Temperature  ‐‐  ‐‐  ‐IGmax.  Reduced VDG  ‐‐  5  ‐IGSSmax.  At Full Conduction  ‐‐  ‐‐  OUTPUT CONDUCTANCE        YOSS  Full Conduction  ‐‐  ‐‐  YOS  Operating  ‐‐  0.2    NOISE      NF  Figure  ‐‐  ‐‐  en  Noise Voltage  ‐‐  3    CAPACITANCE      CISS  Input  ‐‐  ‐‐  CRSS  Reverse Transfer  ‐‐  ‐‐  Note 1 - These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor may be impaired Click To Buy CONDITIONS  VDS = 0                  ID=1n A    VDG= 15V         VGS= 0V      f = 1k Hz       VDG= 15V         ID= 500µA        VDG= 15V              VGS= 0V    VDS= 15V               ID= 1n A                VDS=15V                 ID=500µA   ...