PNMT6N1
PNMT6N1 is Transistor manufactured by Prisemi.
Feature
This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and Ro HS pliant. PNMT6N1 is posed by a transistor and a MOSFET
Transistor:
- Very low collector to emitter saturation voltage
- DC current gain >100
- 3A continuous collector current
- PNP epitaxial planar silicon transistor
MOSFET:
VDS(V) 40
MOSFET Product Summary
RDS(on)(Ω)
VGS(th)(V)
4.5@ VGS=4V
0.5 to 1.5
ID(A) 0.18
PNMT6N1 Transistor with N-MOSFET
（E） 1
（B） 2 （D） 3
Top View
6 （C）
5 （G） 4 （S）
（C） 6 （G） 5 （S） 4
Bottom View
（C） （D）
1 （E） 2 （B） 3 （D）
- Transistor
Electrical characteristics per line@25℃( unless otherwise specified)
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Emitter -Base Breakdown Voltage
Collector Current Collector Peak...
