PNMT6N2
PNMT6N2 is Transistor manufactured by Prisemi.
Feature
This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and Ro HS pliant. PNMT6N2 is posed by a transistor and a MOSFET
Transistor:
- Very low collector to emitter saturation voltage
- DC current gain >100
- 3A continuous collector current
- PNP epitaxial planar silicon transistor
MOSFET:
VDS(V) 40
MOSFET Product Summary
RDS(on)(Ω)
VGS(th)(V)
4.5@ VGS=4V
0.8 to 1.6
ID(A) 0.18
- Transistor
PNMT6N2 Transistor with N-MOSFET
Top View
6（C） 5（C） 4（S）
7(C) 8(B/D) 1（E） 2（E） 3（G）
Bottom View
4（S） 5（C） 6（C）
（D） （C）
3（G） 2（E） 1（E）
Electrical characteristics per line@25℃( unless otherwise specified)
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Emitter -Base Breakdown Voltage Collector Current Collector Peak Current Base Current Base Peak Current Total Dissipation @25°C Storage Temperature Max. Operating Junction Temperature
Symbol
V (BR)CEO V (BR)CBO V (BR)EBO
IC ICM IB IBM Ptot Tstg...
