SFH483 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 ø0.45 Chip position 1 0.9 .1 1.1 .9 0 ø5.5 ø5.2 2.54 mm spacing 14.5 12.5 3.6 3.0 ø4.3 ø4.1 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g GET06625 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad q Die Anode ist galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Hohe Impulsbelastbarkeit q Hohe Zuverlässigkeit q Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG q Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 Anwendungen q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen q Lichtschranken für Gleich- und...