SFH487P Datasheet | Siemens Semiconductor Group

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P Area not flat 0.7 0.8 0.4 0.4 0.6 0.4 3.1 2.5 2.0 1.7 4.0 3.6 2.54 mm spacing ø3.1 ø2.9 1.8 1.2 29 27 4.5 4.0 Cathode 3.5 Chip position 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Sehr plane Oberfläche q Gehäusegleich mit SFH 309 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q GaAIAs...