SVF6N25CD Description
士兰微电子 6A, 250V N沟道增强型场效应管 描述 SVF6N25CD N 沟道增强型中低压功率 MOS 场效应晶体管采用 士兰微电子的 F-CellTM 平面中低压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很 高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 6A，250V，RDS(on)(typ.)=0.5@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 100%雪崩测试 无铅管脚镀层 符合 RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 VDS VGS(th) RDS(on)，max.