2N60 Datasheet | HAOHAI

Features 　　Originative New Design 　　Superior Avalanche Rugged Technology 　　Robust Gate Oxide Technology 　　Very Low Intrinsic Capacitances 　　Excellent Switching Characteristics 　　Unrivalled Gate Charge: 5.5n C(Typ.) 　　Extended Safe Operating Area 　　Lower RDS(ON): 4.0Ω(Typ.) @ VGS=10V 　　100% Avalanche Tested 　　Package: TO-251 & TO-252（IPAK & DPAK） ID=1.8A BVDSS=600V RDS(on)=4.0Ω 　- 特点 　　导通电阻低,开关速度快,驱动简单,可并联使用,输入阻抗高,符合Ro HS规范 　- 应用范围 　　开关电源、LCD电源、LED驱动电源、机箱电源、UPS电源、 　　各种充电器、电子整流器、电子变压器、逆变器、控制器、转换器、 　　风扇控制板、以及电源适配器、汽车稳压器等线性放大和功率开关电路 　- 封装形式 　　TO-251（IPAK） 　　TO-252（DPAK） 2N60 Series Pin Assignment 3-Lead Plastic TO-251 Package Code: U Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: Source 3-Lead Plastic TO-252 Package Code: D Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: Source 2D Series Symbol: 1G 3S - Absolute Maximum Ratings（TC=25℃ unless otherwise specified） Symbol Parameter VDSS IDM VGS EAS IAR EAR dv/dt Drain-Source Voltage Drain Current－Continuous（TC=25℃） Drain Curren－Continuous（TC=100℃） Drain Current - Pulsed（Note 1） Gate-Source Voltage Single Pulsed Avalanche Energy（Note 2） Avalanche Current（Note 1） Repetitive Avalanche Energy（Note 1） Peak Diode Recovery dv/dt（Note 3） Power Dissipation（TA=25℃）- Power Dissipation（TC=25℃） Power Dissipation - Derate above 25℃ TJ, TSTG TL Operating and Storage Temperature Range Maximum lead temperature for soldering purposes, 1/8” from case for 5 seconds - Thermal Resistance Characteristics Symbol Parameter RθJC Junction-to-Case RθJA Junction-to-Ambient - RθJA Junction-to-Ambient 　...