GT50N321 Description
GT50N321 東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 4 世代 高速 FRD を内蔵しています。 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 スイッチング時間が速い。 IGBT : tf = 0.25 μs (標準) (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 μs (標準) (di/dt = −20 A/μs) 飽和電圧が低い。 VCE (sat) = 2.5 V (標準) (IC = 60 A) 単位:.