H5551 - NPN SILICON TRANSISTOR
N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H5551 ¨€ AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage:Vceo=160V.
CollectorDissipation:Pc(max)=625mW ¨€ T stg ¡ ª Tj¡ª ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ Storage Temperature¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Dissipation¡- ¡Collector-Base Voltage¡-¡ Collector-Emitter Voltage¡-¡ Emitter-Base Voltage¡ Collector Current¡- ¡- ¡¡-¡-¡¡- ¡¡¡- ¡¡- ¡- ¡¡-¡¡-¡-¡¡- ¡¡-¡¡¡¡- ¡¡- ¡- ¡¡¡- ¡¡- Ta=25¡æ£© -55~150¡
