BPX43 Datasheet - Siemens Semiconductor Group

BPX43 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t .

BPX43 Features

* q Especially suitable for applications from Bereich von 450 nm bis 1100 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 450 nm to 1100 nm q High linearity q Hermetically sealed

BPX43 Datasheet (313.98 KB)