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BPX43 - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t

Features

  • q Especially suitable for.

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Datasheet preview – BPX43

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BPX 43 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 450 nm bis 1100 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 450 nm to 1100 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection suitable up to 125 °C q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BPX43 BPX 43-2
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