GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.84 2.24 SFH 405 2.7 2.5 2.1 1.5 2.54 spacing Collector (SFH 305) Cathode (SFH 405) 1.15 0.90 1) 0.5 0.4 Approx.
weight 0.02 g GEO06137 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Strahlstärke q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 305 Anwendungen