SFH409 Datasheet - Siemens Semiconductor Group

SFH409 GaAs Infrared Emitter

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol W.

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 0.6 0.4 5.2 4.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 4.1 3.9 4.0 3.6 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Featu.

SFH409 Features

* q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 309, SFH 487 Applications q Photointerrupters q IR remote control of various equipment Wechsellichtbetrieb q IR Fernsteuerunge

SFH409_SiemensSemiconductorGroup.pdf