TK55A10J1 Datasheet - Toshiba Semiconductor

TK55A10J1 N-Channel MOSFET

TK55A10J1 NMOS (U-MOSⅢ) TK55A10J1 : mm z 。 : Qg=110nC () z 。 :RDS (ON) = 8.4 mΩ () z 。 : |Yfs| = 110 S () z 。 : IDSS = 10 μA () (VDS = 100 V) z 。 : Vth = 1.1～2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) (Ta = 25°C) / (RGS=20kΩ) DC ( 1) ( 1) (Tc=25℃) () ( 2) () ( 3) VDSS VDGR VGSS ID IDP PD EAS IAR EAR Tch Tstg 100 100 ±20 55 210 45 382 55 3.0 150 55～150 V V V A A W mJ A mJ ℃ ℃ 1. 2. () 3. JEDEC ― JEITA SC-67 2-10U1B : 1.7 g () : (//) ､ ( /､) ､。 () .

TK55A10J1-ToshibaSemiconductor.pdf