| Part number | GT50N321 |
|---|---|
| Datasheet | GT50N321-ToshibaSemiconductor.pdf |
| File Size | 245.71 KB |
| Manufacturer | Toshiba |
| Description | silicon N-channel IGBT |
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GT50N321 東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 4 世代 高速 FRD を内蔵しています。 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 スイッチング時間が速い。 IGBT : tf = 0.25 μs (標準) (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 μs (標準) (di/dt = −20 A/μs) 飽和電圧が低い。 VCE (sat) = 2.5 V (標準) (IC = 60 A) 単位:.
| Part Number | Description |
|---|---|
| GT50N322A | Silicon N-Channel IGBT |
| GT50G321 | silicon N-channel IGBT |
| GT50J102 | silicon N-channel IGBT |
| GT50J121 | silicon N-channel IGBT |
| GT50J122 | silicon N-channel IGBT |
| GT50J301 | silicon N-channel IGBT |
| GT50J322 | silicon N-channel IGBT |
| GT50J325 | Silicon N-Channel IGBT |
| GT50J327 | silicon N-channel IGBT |
| GT50J328 | Silicon N-Channel IGBT |
