B1012 Datasheet | Specifications & PDF Download

CEP1012/CEB1012 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 120V, 15A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for e

(23 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(23 views)

(19 views)

2SB1012(K) Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1376(K) Outline TO-126 MOD 2 3 1. Emitter 2.

(18 views)

VTB Process Photodiodes VTB1012, 1013 PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) PRODUCT DESCRIPTION Small area planar silicon photodiode in a “flat” window, dua

(13 views)

0.25-6 GHz High Dynamic Range Driver Amplifier December 2007 - Rev 20-Dec-07 B1012-QT Features 17 dBm @ EVM = 2% 39 dBm Output IP3 25 dBm P1dB 10 dB

(13 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(13 views)

RECTRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL SPECIFICATION DB1012S SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE 1200 Volts CURRENT 1.0 Ampere F

(12 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(10 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(10 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(10 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(10 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(9 views)

Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A FFSB10120A-F085 Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that pro

(9 views)

FFSB10120A Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides

(9 views)

VTB Process Photodiodes VTB1012B, 1013B PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) CASE 17 TO-46 HERMETIC CHIP ACTIVE AREA: .0025 in2 (1.60 mm2) PRODUCT DESCRIP

(8 views)

New FFB 100 x 100 x 38 MM SERIES DIMENSIONS DRAWING * Bearing Type Ball Bearings * Material Impeller & Frame : Plastic (UL 94V-0) * Lead Wires : UL

(8 views)

Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

(8 views)

2SB1012(K) Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1376(K) Outline TO-126 MOD 2 3 1. Emitter 2.

(6 views)

2SB1012(K) Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1376(K) Outline TO-126 MOD 2 3 1. Emitter 2.

(6 views)