B1012 Datasheet | Specifications & PDF Download

2SB1012(K) Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1376(K) Outline TO-126 MOD 2 3 1. Emitter 2.

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Sicherheitsrelais SR4 V23049-B SR4 - gepolt, monostabil mit 4 zwangsgeführten Kontakten; Printrelais für Gleichspannung Merkmale l 3 Schließer (NO)

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FFSB10120A Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides

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2SB1012(K) Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1376(K) Outline TO-126 MOD 2 3 1. Emitter 2.

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TBB1012 Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier REJ03G1245-0200 Rev.2.00 Aug 22, 2006 Features • • • • • • • Small SMD package

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VTB Process Photodiodes VTB1012, 1013 PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) PRODUCT DESCRIPTION Small area planar silicon photodiode in a “flat” window, dua

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VTB Process Photodiodes VTB1012B, 1013B PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) CASE 17 TO-46 HERMETIC CHIP ACTIVE AREA: .0025 in2 (1.60 mm2) PRODUCT DESCRIP

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0.25-6 GHz High Dynamic Range Driver Amplifier December 2007 - Rev 20-Dec-07 B1012-QT Features 17 dBm @ EVM = 2% 39 dBm Output IP3 25 dBm P1dB 10 dB

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CEP1012/CEB1012 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 120V, 15A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for e

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